| 发明名称 | 半导体存储器件及其操作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列，存储单元阵列包括多个页；外围电路，适用于对存储单元阵列执行编程操作和读取操作；以及控制逻辑，适用于控制外围电路以在编程验证操作或读取操作期间分别将第一通过电压和第二通过电压施加至与选中字线相邻的第一字线和第二字线。 | ||
| 申请公布号 | CN106169306A | 申请公布日期 | 2016.11.30 |
| 申请号 | CN201510771686.9 | 申请日期 | 2015.11.12 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 李元熙;李澔锡 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列，包括多个页；外围电路，适用于对存储单元阵列执行编程操作和读取操作；以及控制逻辑，适用于控制外围电路以在编程验证操作或读取操作期间分别将第一通过电压和第二通过电压施加至与选中字线相邻的第一字线和第二字线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||