发明名称 一种预防靶中毒的等离子体增强磁控溅射设备
摘要 本实用新型涉及一种预防靶中毒的等离子体增强磁控溅射设备,包括工件架、磁控靶、热丝线、真空镀膜室、反应气体气路管、惰性气体气路管,工件设置在工件架内,四个磁控靶均布在真空镀膜室四周,热丝线、反应气体气路管、惰性气体气路管设置在真空镀膜室内,惰性气体气路管竖直分布在四个磁控靶两侧;反应气体气路管为两个环形气路,分别设置在真空镀膜室顶部和底部,反应气体气路管、惰性气体气路管上均设有气孔。优点是:由两路充气系统构成,反应气体气路不锈钢管上距真空泵较远处气孔较密、近处气孔较疏,实现反应气流流向控制,平衡磁控阴极靶放电电离惰性气体,有效预防了靶面反应气体粒子的聚集。
申请公布号 CN205741199U 申请公布日期 2016.11.30
申请号 CN201620609335.8 申请日期 2016.06.20
申请人 辽宁科技大学 发明人 周艳文;孟见成;吴川;高健波;李建伟;赵卓;佟欣儒;郭媛媛;吴法宇;王晓明
分类号 C23C14/35(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 鞍山嘉讯科技专利事务所 21224 代理人 张群
主权项 一种预防靶中毒的等离子体增强磁控溅射设备,包括工件架、磁控靶、热丝线、真空镀膜室、反应气体气路管、惰性气体气路管,工件设置在工件架内,四个磁控靶均布在真空镀膜室四周,热丝线、反应气体气路管、惰性气体气路管设置在真空镀膜室内,其特征在于,惰性气体气路管竖直分布在四个磁控靶两侧;反应气体气路管为两个环形气路,分别设置在真空镀膜室顶部和底部,反应气体气路管、惰性气体气路管上均设有气孔。
地址 114044 辽宁省鞍山市高新区千山路185号