| 摘要 |
본 발명은 막대형 반도체 재료(1)를 단편화하기 위한 방법에 관한 것으로서, 그러한 방법은: a) 처리 유체(2)에 의해서 둘러싸인 막대형 재료(1)의 부분(3)을 제공하는 단계; b) 전극(5, 6)이 처리 유체(2) 내에 침잠되는 그리고 서로로부터 거리를 두고 위치되는 그리고 막대형 재료(1)로부터 각각 거리를 두는 방식으로, 이러한 부분(3)의 영역 내에서, 2개의 전극(5, 6)을 포함하는 전극 배열체(4)를 배열하는 단계; 및 c) 고전압 펄스를 전극 배열체(4)로 인가하는 것에 의해서, 전극(5, 6)의 영역 내에서 막대형 재료(1)를 통한 및/또는 막대형 재료(1)의 표면을 따른 고전압 파열을 생성하는 단계를 포함하고, 고전압 파열의 생성 중에, 막대형 재료(1)의 길이방향을 따른 상대적인 이동이 전극 배열체(4)와 막대형 재료(1) 사이에서 생성된다. 본 발명에 따른 방법으로 인해서, 막대형 반도체 재료를 적은 에너지 소비로 비교적 균일한 크기 및 형상의 단편으로 분쇄할 수 있고 그리고 이물질에 의한 오염을 낮게 유지할 수 있다. |
