半导体装置的制造方法及半导体装置

摘要

包括下述工序：分别准备半导体元件（1）、至少表面的主要元素为Cu的基板（2）、形状比所述半导体元件小的ZnAl共晶焊料片（3’）；以各自的接合面彼此相对的方式配置所述半导体元件和所述基板，在该基板和半导体元件之间夹设所述ZnAl共晶焊料片；一边对夹设在所述基板和所述半导体元件之间的所述ZnAl共晶焊料片施加载荷（31），一边进行升温，使所述ZnAl共晶焊料片融解而形成ZnAl焊料层；以及一边对所述ZnAl焊料层施加载荷一边进行降温。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其中，包括下述工序：分别准备半导体元件、至少表面的主要元素为Cu的基板、形状比所述半导体元件小的ZnAl共晶焊料片；以各自的接合面彼此相对的方式配置所述半导体元件和所述基板，在该基板和半导体元件之间夹设所述ZnAl共晶焊料片；一边对夹设在所述基板和所述半导体元件之间的所述ZnAl共晶焊料片施加载荷一边进行升温，使所述ZnAl共晶焊料片融解而形成ZnAl焊料层；以及一边对所述ZnAl焊料层施加载荷一边进行降温，使共晶相组织在所述ZnAl焊料层整体中所占的含有率，比共晶相组织在所述ZnAl焊料片中所占的含有率少，所述降温的工序，包含在刚好低于所述ZnAl焊料层的共析温度的温度下保温或逐渐冷却的工序。