发明名称 压电传感装置和方法
摘要 提供传感器、传感装置和设备以及相关方法。根据一个示例实施例,一种基于阻抗的传感器,包括柔性介电材料并基于施加至该介电材料的压力所引起的压缩而生成输出。在特定实施例中,介电材料包括由间隙隔开的多个区域,并配置成响应于施加的压力而弹性地形变和恢复。
申请公布号 CN103210457B 申请公布日期 2016.11.30
申请号 CN201180045357.6 申请日期 2011.09.12
申请人 小利兰·斯坦福大学托管委员会 发明人 Z·包;S·曼斯菲德;J·洛克林;B·C-K·蒂
分类号 H01G5/013(2006.01)I 主分类号 H01G5/013(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 张欣
主权项 一种传感器设备,包括:介电结构,包括由间隔区域相互隔开的毗邻导电层的多个弹性区域,所述弹性区域配置和排列成响应于压力而被压缩,并由此表现出对应于所述弹性区域的压缩状态的改变的有效介电常数;以及传感电路,包括多个基于阻抗的传感器,每一个基于阻抗的传感器包括晶体管,所述晶体管具有晶体管栅极且具有电连接到位于所述导电层所处平面中的相应区域的源极和漏极端子,并且所述传感器包括处于所述晶体管的沟道区中的介电结构的一部分,所述沟道区位于晶体管栅极和导电层之间并且在压缩状态之前将晶体管栅极与导电层隔开小于100μm的距离,所述传感器被配置和排列成通过提供施加至毗邻每一个传感器的介电结构的压力的指示而响应于介电常数的变化,其中介电结构的所述部分形成毗邻所述晶体管的控制端子的沟道区域的一部分,其中所述控制端子被配置为通过所述介电结构施加偏压到所述沟道区域,所施加的偏压基于所介电结构的压缩状态而变化,由此响应于所述晶体管的沟道区中的所述介电结构的一部分的形变,所述改变的有效介电常数对应于所述晶体管的沟道区中发生的压缩状态。
地址 美国加利福尼亚州