用于调节薄膜中的残余应力的方法,申请号CN201610300671.9-传众专利搜索

发明名称	用于调节薄膜中的残余应力的方法
摘要	本发明涉及用于调节薄膜中的残余应力的方法。在半导体衬底上形成应力减小的介电膜的方法，其包括通过沉积具有厚度t<sub>m</sub>和应力水平s<sub>m</sub>的主要部分；以及沉积具有厚度t<sub>l</sub>和应力水平s<sub>l</sub>的低应力部分，其中s<sub>l</sub><s<sub>m</sub>，从而沉积介电膜的第一应力减小的双层。双层的特征可以在于整体的应力水平s<sub>tot</sub><90％(s<sub>m</sub>t<sub>m</sub>+s<sub>l</sub>t<sub>l</sub>)/(t<sub>m</sub>+t<sub>l</sub>)，在一些情况下，s<sub>tot</sub><s<sub>l</sub>。在一些情况下，s<sub>tot</sub><90％s<sub>m</sub>，且对于每种单独的元素成分，在每单位体积5mol％的差数内，主要和低应力部分可有基本相同的化学组成。主要和低应力部分其特征可在于：相应的漏电流I<sub>m</sub>和I<sub>l</sub>，相应的击穿电压V<sub>m</sub>和V<sub>l</sub>，且双层的特征可在于整体漏电流I<sub>tot</sub>和击穿电压V<sub>tot</sub>使得s<sub>tot</sub><90％s<sub>m</sub>，且I<sub>tot</sub><90％(I<sub>m</sub>t<sub>m</sub>+I<sub>l</sub>t<sub>l</sub>)/(t<sub>m</sub>+t<sub>l</sub>)或V<sub>tot</sub>>110％(V<sub>m</sub>t<sub>m</sub>+V<sub>l</sub>*t<sub>l</sub>)/(t<sub>m</sub>+t<sub>l</sub>)或两者。
申请公布号	CN106169420A	申请公布日期	2016.11.30
申请号	CN201610300671.9	申请日期	2016.05.09
申请人	朗姆研究公司	发明人	普鲁肖塔姆·库马尔;康胡;钱俊;阿德里安·拉瓦伊
分类号	H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I	主分类号	H01L21/3105(2006.01)I
代理机构	上海胜康律师事务所 31263	代理人	李献忠;张静
主权项	一种在半导体衬底上形成应力减小的介电膜的方法，所述方法包括：通过下述步骤沉积所述介电膜的第一应力减小的双层：(i)沉积具有厚度t<sub>m</sub>和应力水平s<sub>m</sub>的主要部分；以及(ii)沉积具有厚度t<sub>l</sub>和应力水平s<sub>l</sub>的低应力部分，其中s<sub>l</sub><s<sub>m</sub>；其中根据(i)‐(ii)沉积的所述第一应力减小的双层的特征在于整体的应力水平s<sub>tot</sub>，并且其中s<sub>tot</sub><90％(s<sub>m</sub>t<sub>m</sub>+s<sub>l</sub>*t<sub>l</sub>)/(t<sub>m</sub>+t<sub>l</sub>)。
地址	美国加利福尼亚州