一种IC黑陶瓷低熔玻璃外壳覆铝引线框架

摘要

本实用新型涉及一种IC黑陶瓷低熔玻璃外壳覆铝引线框架，包括由铁镍合金带材形成的引线框架基体，所述引线框架基体的上表面中部沿长度方向复合有一铝层，该铝层上且位于所述引线框架基体中间位置处开设有一用于放置集成电路芯片的空腔，所述空腔周侧设有若干条从引线框架外侧向内侧延伸的引线，所述引线的内侧端部表面复合有一铝层；所述引线内层端部经一硅铝丝与集成电路芯片的焊垫电连。本实用新型的有益效果在于：可以实现更好的铝‑铝键合，能够有效保证封装集成电路超声压焊的可靠性。

主权项

一种IC黑陶瓷低熔玻璃外壳覆铝引线框架，其特征在于：包括由铁镍合金带材形成的覆铝引线框架基体，所述引线框架基体的上表面中部沿长度方向复合有一第一铝层，该第一铝层上且位于所述引线框架基体中间位置处开设有一用于放置集成电路芯片的空腔，所述空腔周侧设有若干条从引线框架外侧向内侧延伸的引线，所述引线的内侧端部表面复合有第二铝层；所述引线内层端部经一硅铝丝与集成电路芯片的焊垫电连。