发明名称 METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT
摘要 본 발명은 (a) 도가니부가 일정한 속도로 회전하고, 수용한 실리콘 용융액을 실리콘의 용융점에 근접하도록 냉각시켜 안정화시키는 단계; (b) 종자결정 로드부가 챔버부에 삽입된 상태로 하강하여, 종자결정을 상기 실리콘 용융액의 표면에 근접하도록 위치시켜 예열하는 단계; (c) 상기 종자결정 로드부가 하강하여 상기 종자결정을 상기 실리콘 용융액의 표면에 접촉시키는 단계; (d) 상기 종자결정 로드부가 상승하여, 상기 종자결정을 상기 실리콘 단결정 잉곳의 넥부 및 숄더부로 성장시키는 단계; (e) 상기 종자결정 로드부가 상승하여 상기 실리콘 단결정 잉곳의 바디부를 성장시키고 상기 도가니부가 증가된 속도로 회전하는 단계; 및 (f) 상기 종자결정 로드부가 상승하여 상기 실리콘 단결정 잉곳의 테일부를 성장시키고 상기 성장된 실리콘 단결정 잉곳을 상기 실리콘 용융액으로부터 분리하여 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법을 개시한다. 상기와 같은 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법은 실리콘 단결정 잉곳에 함유된 산소의 농도를 감소시키면서 실리콘 단결정 잉곳의 다결정화를 감소시킬 수 있다.
申请公布号 KR101681129(B1) 申请公布日期 2016.11.30
申请号 KR20140188310 申请日期 2014.12.24
申请人 주식회사 케이씨씨 发明人 정재훈;장기현;김대연
分类号 C30B15/00;C30B29/06 主分类号 C30B15/00
代理机构 代理人
主权项
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