CMOS图像传感器

摘要

光传感器件与薄膜绝缘体上硅(TF‑SOI)或薄膜绝缘体上锗(TF‑GeOI)衬底上的CMOS器件单片集成。光电二极管活动层被外延地生成在衬底的正面，在完全处理衬底正面以后，埋入的绝缘体(埋入的氧化物)下的衬底材料被去除。然后单片集成的衬底被制造在埋入的氧化物的背面。然后背面被粘合到一个对感兴趣的波长透明的新的衬底。例如，石英、蓝宝石、玻璃或塑料适合于可见光范围。从而允许了传感器矩阵的背面光照，光穿过在与产生CMOS的一侧相对的衬底的背面上制造的结构。

主权项

制造允许背面光照的CMOS图像传感器的工艺方法，包括以下步骤：(a)选择一个薄膜绝缘体上硅TF‑SOI或薄膜绝缘体上锗TF‑GeOI衬底，其中TF‑SOI或TF‑GeOI衬底中的绝缘体是一层埋入的氧化物，(b)在TF‑SOI或TF‑GeOI衬底的正面制造CMOS器件并外延地生成光电二极管层，(c)在TF‑SOI或TF‑GeOI衬底的正面，在光电二极管层之上制造密集金属互连，(d)在完全处理TF‑SOI或TF‑GeOI衬底的正面之后，去除埋入的氧化物下的衬底，(e)在埋入的氧化物的与所述TF‑SOI或TF‑GeOI衬底的正面表面相反的背面表面制造单片集成的结构，(f)将背面粘合到一个对所需要的波长透明的新的机械衬底。