| 发明名称 | 高功率异面电极嵌入式台面型光导开关及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高功率异面电极嵌入式台面型光导开关及其制作方法。该光导开关，包括掺钒碳化硅衬底(1)和一对欧姆接触电极(5,6)，其中掺钒碳化硅衬底(1)的一边为45°±2°的斜边，作为倾斜入射台面(2)；该掺钒碳化硅衬底(1)的上表面和斜边表面淀积有上氮化硅层(7)，掺钒碳化硅衬底(1)的下表面淀积下氮化硅层(8)，用于减少入射光在表面的反射，增加器件的耐压能力；该掺钒碳化硅衬底(1)的上部开有上凹槽(3)，掺钒碳化硅衬底(1)的下部开有下凹槽(4)，一对欧姆接触电极(5,6)分别嵌在这两个凹槽中。本发明具有边缘击穿少，载流子收集率高等优点，可用于高功率脉冲系统中。 | ||
| 申请公布号 | CN106169514A | 申请公布日期 | 2016.11.30 |
| 申请号 | CN201610565310.7 | 申请日期 | 2016.07.18 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 郭辉;张晨旭;张玉明;杨佳奇 |
| 分类号 | H01L31/08(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人 | 王品华;朱红星 |
| 主权项 | 高功率异面电极嵌入式台面型光导开关，包括掺钒碳化硅衬底(1)和一对欧姆接触电极(5,6)，其特征在于：掺钒碳化硅衬底(1)的一边为45°±2°的斜边，作为倾斜入射台面(2)；掺钒碳化硅衬底(1)的上表面和斜边表面淀积有上氮化硅层(7)，掺钒碳化硅衬底(1)的下表面淀积下氮化硅层(8)，用于减少入射光在表面的反射，同时增加器件的耐压能力；掺钒碳化硅衬底(1)的上部开有上凹槽(3)，掺钒碳化硅衬底(1)的下部开有下凹槽(4)，一对欧姆接触电极(5,6)分别嵌在这两个凹槽(3,4)中。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||