| 发明名称 | 半导体晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 对于在正面（12）或者正反两面存在氧化膜（12A）而在倒角部（11）不存在氧化膜的半导体晶片（10）的前述倒角部（11），使用无磨粒研磨液来实施镜面精加工倒角研磨工序。另外，在前述镜面精加工倒角研磨工序之前，对于在前述正面（12）或者前述正反两面以及前述倒角部（11）存在氧化膜（11A、12A）的半导体晶片（10）的前述倒角部（11），使用有磨粒研磨液来实施精加工前镜面倒角研磨工序。 | ||
| 申请公布号 | CN106170847A | 申请公布日期 | 2016.11.30 |
| 申请号 | CN201480075646.4 | 申请日期 | 2014.11.19 |
| 申请人 | 胜高股份有限公司 | 发明人 | 小佐佐和明;小渊俊也;杉森胜久 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;B24B9/00(2006.01)I;B24B29/00(2006.01)I;B24B37/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张雨;李婷 |
| 主权项 | 一种半导体晶片的制造方法，其特征在于，对于在正面或者正反两面存在氧化膜而在倒角部不存在前述氧化膜的半导体晶片的前述倒角部，使用无磨粒研磨液来实施镜面精加工倒角研磨工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||