发明名称 一种多元红外探测器台面器件及其制作方法
摘要 本发明公开了一种多元红外探测器台面器件及其制作方法,其中,该方法区别于传统台面器件制作工艺,采用开槽隔离工艺将台面器件的有效光敏像元之间进行隔离,以避免光生载流子的不规则运动和收集;同时为了避免无效光敏区域产生的光生载流子被有效光敏像元吸收,采用将无效光敏区域处P‑N结进行短接、复合掉无效光生载流子的工艺,两种工艺合为一体,形成完整的技术方案。本发明解决了传统台面器件工艺制作的多元红外探测器存在的电串音问题,从而避免了应用过程中的波形次峰和虚假信号问题。
申请公布号 CN104201237B 申请公布日期 2016.11.30
申请号 CN201410419517.4 申请日期 2014.08.22
申请人 中国电子科技集团公司第十一研究所 发明人 郭喜;肖钰;邱国臣;赵建忠
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/102(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 工业和信息化部电子专利中心 11010 代理人 张蕾
主权项 一种多元红外探测器台面器件的制作方法,其特征在于,包括:在衬底材料上通过光刻工艺形成台面刻蚀的图形;根据所述衬底材料的特性确定第一预定工艺,并通过所述第一预定工艺按照所述台面刻蚀的图形刻蚀出台面结构,以将光敏像元之间、光敏像元与无效光敏区域之间通过开槽隔离开;根据所述衬底材料的特性确定钝化层体系,并根据所述钝化层体系对刻蚀出台面结构的衬底材料进行钝化;在钝化后衬底的钝化层上,通过光刻工艺形成电极孔刻蚀的图形;根据所述钝化层材料的特性确定第二预定工艺,并通过所述第二预定工艺按照所述电极孔刻蚀的图形刻蚀出正负电极接触孔和无效光敏区域P‑N结短接孔,以露出衬底材料;在露出的衬底材料表面上,通过第三预定工艺生长一层金属电极层,以使所述接触孔和所述短接孔处形成金属‑半导体欧姆接触;在生长电极层后衬底的金属电极层上,通过光刻工艺形成电极刻蚀的图形;根据电极层对应的金属电极材料特性确定第四预定工艺,并通过所述第四预定工艺将电极以外无用的金属层刻蚀掉,以形成多元红外探测器台面器件。
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