具有多个栅结构的半导体器件

摘要

本公开提供具有多个栅结构的半导体器件。一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；多个第一栅结构，在第一区域中，所述第一栅结构彼此间隔开第一距离；多个第二栅结构，在第二区域中，所述第二栅结构彼此间隔开第二距离；第一间隔物，在第一栅结构的侧壁上；电介质层，在第一间隔物上；第二间隔物，在第二栅结构的侧壁上；以及第三间隔物，在第二间隔物上。

主权项

一种半导体器件，包括：基板，具有第一区域和第二区域；多个第一栅结构，在所述第一区域中，所述多个第一栅结构彼此间隔开第一距离；多个第二栅结构，在所述第二区域中，所述多个第二栅结构彼此间隔开第二距离；多个第一间隔物，在相应的第一栅结构的侧壁上；电介质层，在相应的第一间隔物的外侧壁上；多个第二间隔物，在相应的第二栅结构的侧壁上；以及多个第三间隔物，在相应的第二间隔物的外侧壁上，其中在所述多个第一栅结构中的第一个的侧壁上的所述多个第一间隔物中的第一个的第一厚度和所述电介质层的第二厚度之和基本上等于在所述第二栅结构中的第一个的侧壁上的所述多个第二间隔物中的第一个的第三厚度和所述多个第三间隔物中的第一个的第四厚度之和。