一种三维结构的柔性有机场效应晶体管

摘要

本实用新型提供的一种三维结构的柔性有机场效应晶体管，包括第一源电极(101)、第二源电极(102)、第一漏电极(201)、第二漏电极(202)、电极延伸层(203)、第一有机半导体层(301)、第二有机半导体层(302)、第一绝缘层(401)、第二绝缘层(402)、栅电极(5)、柔性衬底(6)。由于平面结构的场效应在降低沟道长度上受到了限制，我们采用垂直沟道制备的有机场效应晶体管，这种结构的长效应晶体管沟道长度是由有机半导体层厚度决定的，而有机半导体层是采用蒸发的技术制备而成，这种方式形成的薄膜均匀性好，厚度最小能达到几个纳米，由于沟道长度的大幅度降低，源漏电流可以明显的得到提高。

主权项

一种三维结构的柔性有机场效应晶体管，其特征在于，包括第一源电极(101)、第二源电极(102)、第一漏电极(201)、第二漏电极(202)、电极延伸层(203)、第一有机半导体层(301)、第二有机半导体层(302)、第一绝缘层(401)、第二绝缘层(402)、栅电极(5)、柔性衬底(6)；其中：柔性衬底、栅电极、第二绝缘层依次叠加组成，电极延伸层和第二漏电极分别位于第二绝缘层上方两侧，且电极延伸层和第二漏电极相连接；第二有机半导体层和第二源电极依次位于第二漏电极上方，且第二有机半导体层和第二源电极的宽度与第二漏电极相同；第一绝缘层覆盖在电极延伸层、第二有机半导体层和第二源电极上方；第一有机半导体层位于第一绝缘层上方，第一源电极和第一漏电极分别位于第一有机半导体层上方两侧。