基于等式约束的辅助电容集中式单箝位MMC自均压拓扑

摘要

本实用新型提供基于等式约束的辅助电容集中式单箝位MMC自均压拓扑。单箝位MMC自均压拓扑，由单箝位MMC模型和自均压辅助回路联合构建。单箝位MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于等式约束的辅助电容集中式单箝位MMC自均压拓扑，IGBT模块闭锁，拓扑等效为单箝位MMC拓扑。该单箝位MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现单箝位MMC的基频调制。

主权项

基于等式约束的辅助电容集中式单箝位MMC自均压拓扑，其特征在于：包括由A、B、C三相构成的单箝位MMC模型，A、B、C三相分别由2N个单箝位子模块，2个桥臂电抗器串联而成；包括由6N个IGBT模块，6N+5个钳位二极管，2个辅助电容C₁、C₂，2个辅助IGBT模块T₁、T₂构成的自均压辅助回路。