ZnSe RGB RGB three-band emitting nanocrystals based on ZnSe and preparation method therof

摘要

본 발명은 가시광선 영역에서 방출 피크를 갖는 올레산 캡핑된 ZnSe 기반 나노결정의 제조방법 및 이에 따라 제조된 가시광선 영역에서 방출 피크를 갖는 올레산 캡핑되고 도판트를 포함하는 ZnSe 기반 나노결정에 관한 것으로, 구체적으로 반응 플라스크에서 아연 화합물을 옥타데센 및 올레산 혼합 용매에 용해시킨 아연 화합물 용액을 250 내지 350℃까지 가열하는 제1단계; 별도의 반응 플라스크에서 셀레늄 분말을 트리-n-부틸포스핀 또는 트리옥틸포스핀 옥사이드 및 옥타데센의 혼합 용매에 분산시켜 불균일계 셀레늄 전구체 용액을 준비하는 제2단계; 제1단계의 반응 플라스크에 제2단계로부터 준비한 용액을 첨가하는 제3단계; 상기 제3단계의 반응 플라스크를 170 내지 230℃까지 냉각시키고 상기 반응 플라스크에 도판트를 트리-n-부틸포스핀 또는 트리옥틸포스핀 옥사이드 및 옥타데센의 혼합 용매에 용해시켜 준비한 도판트 용액을 첨가하는 제4단계; 제4단계의 반응 플라스크를 200 내지 270℃까지 가열하고 해당 온도에서 1시간 내지 3시간 동안 유지하여 숙성시키는 제5단계; 및 상기 제5단계의 반응 플라스크를 10 내지 35℃까지 서서히 냉각시키고 무수에탄올을 첨가하여 침전을 형성하는 제6단계를 포함하는, 가시광선 영역에서 방출 피크를 갖는 올레산 캡핑된 ZnSe 기반 나노결정의 제조방법에 관한 것이다.