用于晶体管栅极的帽盖介电结构

摘要

本说明书涉及用于微电子器件的微电子晶体管、包括非平坦晶体管的制造领域。本说明书的实施方案涉及形成凹进的栅极电极，所述栅极电极被基本上没有空洞的介电体帽盖介电结构所覆盖，该结构可以用高密度等离子方法形成。

主权项

一种用于形成微电子器件的方法，其包括：在非平坦晶体管鳍的上面形成牺牲性非平坦晶体管栅极；在牺牲性非平坦晶体管栅极和非平坦晶体管鳍的上面沉积介电材料层；由邻近牺牲性非平坦晶体管栅极的一部分介电材料层形成非平坦晶体管栅极间隔体；形成源/漏区；除去牺牲性非平坦晶体管栅极，在非平坦晶体管栅极间隔体之间形成栅极沟槽，以及暴露一部分非平坦晶体管鳍；在栅极沟槽内邻近非平坦晶体管鳍形成栅极介电体；在栅极沟槽内沉积导电性栅极材料；除去一部分导电性栅极材料，在非平坦晶体管栅极间隔体之间形成凹座；通过高密度等离子沉积介电材料，在凹座内形成帽盖介电结构；在源/漏区、非平坦晶体管栅极间隔体、和帽盖介电结构的上面形成至少一种介电材料；以及穿过至少一种介电材料形成触点开口，以暴露至少一部分源/漏区。