发明名称 半导体功率转换装置
摘要 本发明提供一种半导体功率转换装置,该半导体功率转换装置采用有效地冷却变压器及半导体单元的小型且稳定的结构,并使电容及电压变得更大。该半导体功率转换装置(1)形成有第一路径和第二路径,该第一路径中,冷却空气在半导体单元(7)内流动并进行冷却,通过冷却翅片用开口部(9a)及电解电容器用开口部(9b)并流入变压器收纳室(12),在对变压器(8)的外侧进行冷却后被排气扇(4)排出,该第二路径中,冷却空气从变压初级绕组用开口部(9c)经过正面侧开口部(10c)流入风洞(15),在对变压器(8)的内侧进行冷却后被排气扇(4)排出。
申请公布号 CN106169875A 申请公布日期 2016.11.30
申请号 CN201610141886.0 申请日期 2016.03.14
申请人 富士电机株式会社 发明人 中岛健裕;酒井贵悠
分类号 H02M7/00(2006.01)I;H05K7/20(2006.01)I 主分类号 H02M7/00(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 周全
主权项 一种半导体功率转换装置,其特征在于,包括:壳体,该壳体具有将变压器和半导体单元收纳于内部的内部空间;分隔部,该分隔部将所述内部空间内的前后进行分隔,以形成在正面侧收纳所述半导体单元的半导体单元收纳室和在背面侧收纳所述变压器的变压器收纳室;隔壁部,该隔壁部配置于所述变压器收纳室内的下侧,形成有收纳所述变压器的下侧的一部分、并与所述变压器的内侧相连通的风洞;形成于所述隔壁部的正面侧开口部;上侧开口部,该上侧开口部形成于所述分隔部,使所述半导体单元收纳室与所述变压器收纳室相连通;下侧开口部,该下侧开口部以与所述隔壁部的所述正面侧开口部相对的方式形成于所述分隔部,使所述半导体单元收纳室与所述风洞相连通;以及排气扇,该排气扇设置于所述壳体的上侧,从所述变压器收纳室的上侧进行排气,进入所述半导体单元收纳室的冷却空气分流为第一路径和第二路径,所述第一路径中,冷却空气通过形成于所述半导体单元的内侧的流路流动并进行冷却,通过所述上侧开口部,从所述半导体单元收纳室流入所述变压器收纳室,在对所述变压器的外侧进行冷却后,利用所述排气扇将该冷却空气从所述变压器收纳室排出,所述第二路径中,冷却空气经由所述半导体单元收纳室、所述下侧开口部及所述正面侧开口部而流入所述风洞,在对所述变压器的内侧进行冷却后流入所述变压器收纳室,利用所述排气扇将该空气从所述变压器收纳室排出。
地址 日本神奈川县