交叉耦合晶闸管SRAM半导体结构及制造方法

摘要

说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。特定电路在待机过程中提供降低的功耗。

主权项

一种第一半导体结构，用于由第一类型双极型晶体管和相反类型双极型晶体管构成的交叉耦合对，所述第一半导体结构包括：第一导电类型半导体衬底，所述第一导电类型半导体衬底具有上表面；绝缘区，所述绝缘区延伸到所述衬底中，以围绕所述衬底的上表面的第一部分；与第一导电类型相反导电类型的埋层，所述埋层布置在所述衬底中且位于所述上表面的第一部分下方，所述埋层和所述绝缘区共同提供与所述衬底的剩余部分电隔离的半导体材料桶；第一导电类型的连接区，所述第一导电类型的连接区从所述衬底的上表面延伸到所述埋层，以提供与所述埋层的电连接；相反导电类型的浅阱区，所述相反导电类型的浅阱区在所述上表面的第二部分上方从所述上表面延伸到所述衬底中，所述第二部分小于所述第一部分，所述浅阱区不延伸到所述埋层；第一导电类型区，所述第一导电类型区与所述上表面相邻，并在所述上表面的所述第一部分之外延伸到所述桶中，并且不与所述埋层接触，以提供与所述桶的电连接；场效应晶体管栅极，所述场效应晶体管栅极布置在所述浅阱区上方；与所述场效应晶体管栅极的第一侧相邻布置的第一导电类型区；与所述场效应晶体管栅极的第二侧相邻布置的相反导电类型区；并且其中：所述埋层提供所述第一类型双极型晶体管的发射极；所述第一导电类型桶提供所述第一类型双极型晶体管的基极；所述浅阱提供所述第一类型双极型晶体管的集电极和所述相反类型双极型晶体管的基极；并且与所述场效应晶体管栅极电极的一侧相邻布置的所述第一导电类型区提供所述相反类型双极型晶体管的发射极区。