| 发明名称 | 一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池，包括GaAs衬底，所述GaAs衬底为双面抛光的n型GaAs单晶片，在所述GaAs衬底上表面自下而上依次生长有GaAs缓冲层、第一隧道结、AlGaAs/GaInAs DBR反射层、GaInNAs子电池、第二隧道结、AlAs/AlGaAs DBR反射层、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池、欧姆接触层、减反射膜和正面电极，在所述GaAs衬底的下表面依次设置有Ga<sub>1‑z</sub>In<sub>z</sub>P应变缓冲层、Ga<sub>1‑</sub><sub>x</sub>In<sub>x</sub>As子电池和背面电极。本实用新型可以提高光子吸收效率，同时发挥四结电池的优势，提高GaAs多结电池的整体开路电压和填充因子，并最终提高电池的光电转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN205752204U | 申请公布日期 | 2016.11.30 |
| 申请号 | CN201620437361.7 | 申请日期 | 2016.05.12 |
| 申请人 | 中山德华芯片技术有限公司 | 发明人 | 刘雪珍;杨柏;王雷;吴波;黄珊珊;陈丙振;张小宾;张杨 |
| 分类号 | H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0304(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 梁莹 |
| 主权项 | 一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池，包括GaAs衬底，其特征在于：所述GaAs衬底为双面抛光的n型GaAs单晶片，在所述GaAs衬底上表面自下而上依次生长有GaAs缓冲层、第一隧道结、AlGaAs/GaInAs DBR反射层、GaInNAs子电池、第二隧道结、AlAs/AlGaAs DBR反射层、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池、欧姆接触层、减反射膜和正面电极，在所述GaAs衬底的下表面依次设置有Ga<sub>1‑z</sub>In<sub>z</sub>P应变缓冲层、Ga<sub>1‑x</sub>In<sub>x</sub>As子电池和背面电极，其中AlGaAs/GaInAs DBR反射层用于反射长波光子，AlAs/AlGaAs DBR反射层用于反射中长波光子。 | ||
| 地址 | 528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层 | ||