发明名称 METHOD FOR ELECTRICAL CONTACT MATERIALS INCLUDING AG PLATED CNTs
摘要 본 발명은 은이 코팅된 탄소나노튜브가 함유된 전기접점재료의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 (a) 탄소나노튜브를 질산은 용액내에 넣고 초음파 분산 및 산처리를 수행하는 단계; (b) 상기 a단계를 통해 초음파 분산 및 산 처리된 탄소나노튜브를 세척하는 단계; (c) 세척된 상기 탄소나노튜브를 염화주석과 염산의 혼합용액 및 염화 팔라늄과 염산의 혼합용액에 순차적으로 혼합한 후 각각 초음파를 가하여 주석과 팔라늄을 상기 탄소나노튜브의 표면에 결합시키는 단계; (d) 질산은 수용액과 암모니아 수용액을 넣어 무색이 될때까지 혼합한 다음 상기 c단계에서 제조된 상기 탄소나노튜브를 혼합하는 단계; (e) 글리옥실산 수용액과 수산화나트륨 수용액을 혼합한 다음 탈이온수로 세척하여 은이 코팅된 탄소나노튜브를 제조하는 단계; 및 (f) 은이 코팅된 탄소나노튜브와 은, 구리, 니켈 및 금으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속이 함유된 합금을 혼합하여 분말 혼합체를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 은이 코팅된 탄소나노튜브가 함유된 전기접점재료의 제조방법에 관한 것이다.
申请公布号 KR20160137178(A) 申请公布日期 2016.11.30
申请号 KR20150071929 申请日期 2015.05.22
申请人 RESEARCH & BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY;LSIS CO., LTD. 发明人 CHO, WOOK DONG;MOON, CHUL DONG;CHOI, HYEON JEONG;KIM, WON YOUNG;BAIK, SEUNG HYUN;LEE, DONG MOK;SIM, JEONG HYUN
分类号 H01B1/04;H01B1/02 主分类号 H01B1/04
代理机构 代理人
主权项
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