FINFET FIN FIELD EFFECT TRANSISTORFINFET DEVICE STRUCTURE WITH UNEVEN GATE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

摘要

핀 전계-효과 트랜지스터(FinFET) 장치 구조체가 제공된다. FinFET 장치 구조체는 기판 상에 형성된 격리 구조체와 상기 기판 상에 형성된 핀 구조체를 포함한다. FinFET 장치 구조체는 핀 구조체 상에 형성된 제1 게이트 구조체와 제2 게이트 구조체를 포함하며, 제1 게이트 구조체는 핀 구조체에 평행한 방향으로 제1 폭을 가지며, 제2 게이트 구조체는 핀 구조체에 평행한 방향으로 제2 폭을 가지며, 제1 폭은 제2 폭보다 작다. 제1 게이트 구조체는 제1 높이를 갖는 제1 일함수 층을 포함한다. 제2 게이트 구조체는 제2 높이를 갖는 제2 일함수 층을 포함하고, 제1 높이와 제2 높이 사이의 차이는 약 1 nm 내지 약 6 nm의 범위에 있다.