| 发明名称 | SOI晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种SOI晶片的制造方法，该方法具有通过对于SOI晶片实施牺牲氧化处理而对上述SOI晶片的SOI层进行减厚调整的工序，其中，上述牺牲氧化处理是对SOI层表面进行热氧化并去除所形成的热氧化膜的处理，上述SOI晶片的制造方法其特征在于，通过使用分批式热处理炉至少在升温中、以及降温中的一方进行上述牺牲氧化处理中的热氧化，而在上述SOI层的表面形成大致同心圆形状的氧化膜厚分布。由此，通过进行形成大致同心圆形状的氧化膜并去除所形成的热氧化膜的牺牲氧化处理，提供一种能够以高生产率制造改进了面内膜厚分布的SOI晶片的SOI晶片的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103988284B | 申请公布日期 | 2016.11.30 |
| 申请号 | CN201280061446.4 | 申请日期 | 2012.11.13 |
| 申请人 | 信越半导体株式会社 | 发明人 | 阿贺浩司;小林德弘 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人 | 朱健 |
| 主权项 | 一种SOI晶片的制造方法，具有通过对于SOI晶片实施牺牲氧化处理而对上述SOI晶片的SOI层进行减厚调整的工序，其中，上述牺牲氧化处理是对SOI层表面进行热氧化并去除所形成的热氧化膜的处理，上述SOI晶片的制造方法其特征在于，将SOI层具有大致同心圆形状的膜厚分布的SOI晶片作为实施上述牺牲氧化处理的SOI晶片，通过使用分批式热处理炉在升温中、以及降温中的任一方或双方进行上述牺牲氧化处理中的热氧化，而在上述SOI层的表面形成具有大致同心圆形状的氧化膜厚分布的热氧化膜，以抵消上述大致同心圆形状的膜厚分布。 | ||
| 地址 | 日本东京都千代田区大手町二丁目6番2号 | ||