| 发明名称 | 用于相变存储器的Zn-Sb-Se相变存储薄膜材料 | ||
| 摘要 | 本发明公开了用于相变存储器的Zn‑Sb‑Se相变存储薄膜材料，特点是相变存储薄膜材料为富Sb的Zn‑Sb‑Se化合物，其化学结构式为Zn<sub>x</sub>Sb<sub>y</sub>Se<sub>z</sub>，其中：0<x<35，45<y<55，20<z<55，x+y+z=100；优点是该薄膜材料具有纳秒量级高速相变，具有较强高温热稳定性和晶态电阻，较大非晶态与晶态之间明显的电阻差异和较好的可逆循环相变能力；该薄膜材料的结晶温度（<i>T</i><sub>c</sub>）为216‑250℃，结晶活化能(<i>E</i><sub>a</sub>)为5.05‑8.57eV，数据保存10年的最高温度为152.6‑200.2℃。 | ||
| 申请公布号 | CN104328326B | 申请公布日期 | 2016.11.30 |
| 申请号 | CN201410473416.5 | 申请日期 | 2014.09.17 |
| 申请人 | 宁波大学 | 发明人 | 王国祥;沈祥;徐培鹏;吕业刚;陈益敏;田曼曼;李军建;戴世勋;聂秋华;徐铁峰 |
| 分类号 | C22C30/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | C22C30/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人 | 蔡菡华 |
| 主权项 | 用于相变存储器的Zn‑Sb‑Se相变存储薄膜材料，其特征在于所述的相变存储薄膜材料为富Sb的Zn‑Sb‑Se化合物，其化学结构式为Zn<sub>19.0</sub>Sb<sub>45.7</sub>Se<sub>35.3</sub>，且上述式中含量为原子百分比。 | ||
| 地址 | 315211 浙江省宁波市江北区风华路818号 | ||