SiC单晶的制造方法

摘要

本发明涉及SiC的制造方法。提供与以往相比可抑制杂晶产生的基于溶液法的SiC单晶的制造方法。使晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶制造方法，其中坩埚具有与Si‑C溶液液面相同高度的水平方向的厚度Lu和与坩埚底部内壁相同高度的水平方向的厚度Ld，Ld/Lu为2.00～4.21；在厚度Lu与厚度Ld之间坩埚水平方向的厚度从厚度Lu向厚度Ld单调增加；坩埚壁厚为1mm以上；坩埚底部铅直方向的厚度Lb为1mm以上15mm以下；坩埚底部外壁具有面积为100mm²以上的平坦部；使Si‑C溶液距坩埚底部内壁的深度为30mm以上；该方法包括利用配置于坩埚周围的高频线圈加热和电磁搅拌Si‑C溶液。

主权项

SiC单晶的制造方法，其为使晶种基板与置于坩埚内的具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶晶体生长的SiC单晶的制造方法，其中，所述坩埚具有厚度Lu和厚度Ld，厚度Lu是在与所述Si‑C溶液的液面相同高度之处的所述坩埚的水平方向的厚度，厚度Ld是在与所述坩埚的底部内壁相同高度之处的所述坩埚的水平方向的厚度，所述Ld相对于所述Lu之比即Ld/Lu为2.00～4.21；在所述厚度Lu与所述厚度Ld之间，所述坩埚的水平方向的厚度从所述厚度Lu向所述厚度Ld单调增加，所述坩埚的壁厚为1mm以上，所述坩埚的底部的铅直方向的厚度Lb为1mm以上15mm以下，所述坩埚的底部外壁具有平坦部，所述平坦部的面积为100mm²以上，使置于所述坩埚内的所述Si‑C溶液距所述坩埚的底部内壁的深度为30mm以上，该制造方法包括：利用配置于所述坩埚周围的高频线圈对所述Si‑C溶液进行加热和电磁搅拌。