发明名称 |
基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑 |
摘要 |
本实用新型提供基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑。半桥/全桥混联MMC自均压拓扑中,半桥/全桥混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的辅助开关发生电气联系,辅助开关闭合,两者构成基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑,辅助开关打开,拓扑等效为半桥/全桥混联MMC拓扑。在不强调两种拓扑差异的情况下,辅助开关中的6<i>K</i>个机械开关可以省略。该半桥/全桥混联MMC自均压拓扑,具有直流故障箝位能力,不依赖于专门的均压控制,能够在完成直交流能量转换的基础上,自发地实现子模块电容电压的均衡,同时可以相应降低子模块触发频率和电容容值,实现MMC的基频调制。 |
申请公布号 |
CN205754049U |
申请公布日期 |
2016.11.30 |
申请号 |
CN201620068898.0 |
申请日期 |
2016.01.25 |
申请人 |
华北电力大学 |
发明人 |
赵成勇;许建中;刘航 |
分类号 |
H02M7/49(2007.01)I |
主分类号 |
H02M7/49(2007.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑,其特征在于:包括由A、B、C三相构成的半桥/全桥混联MMC模型,A、B、C三相每个桥臂分别由K个半桥子模块、N‑K个全桥子模块及1个桥臂电抗器串联而成;包括由6N个辅助开关(6K个机械开关,6N‑6K个IGBT模块),6N+11个钳位二极管,8个辅助电容C<sub>1</sub>、C<sub>2</sub>、C<sub>3</sub>、C<sub>4</sub>、C<sub>5</sub>、C<sub>6</sub>、C<sub>7</sub>、C<sub>8</sub>,4个辅助IGBT模块T<sub>1</sub>、T<sub>2</sub>、T<sub>3</sub>、T<sub>4</sub>构成的自均压辅助回路。 |
地址 |
102206 北京市昌平区回龙观镇北农路2号 |