| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, wobei die Beleuchtungseinrichtung eine in einer Objektebene des Projektionsobjektivs angeordnete, abzubildende Strukturen aufweisende Maske (131, 207) mit Nutzlicht einer Arbeitswellenlänge beleuchtet und wobei das Projektionsobjektiv diese Strukturen auf ein in einer Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (305, 402, 500) abbildet, wobei in das Substrat (305, 402, 500) zumindest zeitweise eine nicht durch das Nutzlicht bewirkte Heizleistung und/oder eine Kühlleistung derart eingekoppelt wird, dass eine ohne diese Einkopplung bei der Abbildung der Strukturen durch die Projektionsbelichtungsanlage erzeugte optische Aberration und/oder eine ohne diese Einkopplung im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage erzeugte Deformation des Substrats (305, 402, 500) wenigstens teilweise kompensiert wird. |
