| 摘要 |
実施形態は、堆積速度を高めるために種前駆体を用いる原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスに関する。第１の反応前駆体（例えばＨ２Ｏ）は、反応の結果として形成され得る。第１の反応前駆体は、物質を基板上に堆積させるための後続プロセスにおいて、源前駆体（例えば３ＤＭＡＳ）と反応し、又は源前駆体を置換し得る。加えて、第２の反応前駆体（例えばラジカル）は、源前駆体が先に導入された基板上に別途に導入され得る。源前駆体を基板の表面により第１の反応前駆体と反応させ、導入器により提供された第２の反応物質と反応させることによって、物質は、基板上に好都合に堆積する。【選択図】図６ |
