发明名称 一种高电源抑制比的低压差线性稳压器
摘要 本发明公开一种高电源抑制比的低压差线性稳压器,其误差放大器的两个输入端为参考电压和反馈电压,误差放大器的输出端接输出管;输出管的漏端为串联的用于提供反馈电压的负载电阻,所述输出管的源端级联NMOS管和Vt偏置追踪电路,所述Vt偏置追踪电路包括串联电阻和连接所述串联电阻的三极管,所述NMOS管连接于输出管的源端和电源电压输入端之间,所述NMOS管的输入端连接所述Vt偏置追踪电路的三极管。本发明具有兼容性好,成本小,面积小,效率高,噪声低,稳定性好,电源抑制比高,适于工作在空负载和全负载下的特点。
申请公布号 CN104793672B 申请公布日期 2016.11.23
申请号 CN201410020307.8 申请日期 2014.01.16
申请人 北京大学 发明人 叶乐;洪阳;杨丽杰;廖怀林;黄如
分类号 G05F1/56(2006.01)I 主分类号 G05F1/56(2006.01)I
代理机构 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 代理人 余长江
主权项 一种高电源抑制比的低压差线性稳压器,其特征在于,包括误差放大器,所述误差放大器的两个输入端为参考电压和反馈电压,所述误差放大器的输出端接输出管,所述输出管的漏端为串联的提供反馈电压的负载电阻,所述输出管的源端级联NMOS管和Vt偏置追踪电路,所述Vt偏置追踪电路包括串联电阻和连接所述串联电阻的三极管,所述NMOS管连接于所述输出管的源端和电源电压输入端之间,所述NMOS管的输入端连接所述Vt偏置追踪电路的三极管;所述输出管的源端级联的NMOS管为负阈值的NMOS管,所述Vt偏置追踪电路中的三极管为负阈值的NMOS管。
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