发明名称 |
一种高电源抑制比的低压差线性稳压器 |
摘要 |
本发明公开一种高电源抑制比的低压差线性稳压器,其误差放大器的两个输入端为参考电压和反馈电压,误差放大器的输出端接输出管;输出管的漏端为串联的用于提供反馈电压的负载电阻,所述输出管的源端级联NMOS管和Vt偏置追踪电路,所述Vt偏置追踪电路包括串联电阻和连接所述串联电阻的三极管,所述NMOS管连接于输出管的源端和电源电压输入端之间,所述NMOS管的输入端连接所述Vt偏置追踪电路的三极管。本发明具有兼容性好,成本小,面积小,效率高,噪声低,稳定性好,电源抑制比高,适于工作在空负载和全负载下的特点。 |
申请公布号 |
CN104793672B |
申请公布日期 |
2016.11.23 |
申请号 |
CN201410020307.8 |
申请日期 |
2014.01.16 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
叶乐;洪阳;杨丽杰;廖怀林;黄如 |
分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 |
代理人 |
余长江 |
主权项 |
一种高电源抑制比的低压差线性稳压器,其特征在于,包括误差放大器,所述误差放大器的两个输入端为参考电压和反馈电压,所述误差放大器的输出端接输出管,所述输出管的漏端为串联的提供反馈电压的负载电阻,所述输出管的源端级联NMOS管和Vt偏置追踪电路,所述Vt偏置追踪电路包括串联电阻和连接所述串联电阻的三极管,所述NMOS管连接于所述输出管的源端和电源电压输入端之间,所述NMOS管的输入端连接所述Vt偏置追踪电路的三极管;所述输出管的源端级联的NMOS管为负阈值的NMOS管,所述Vt偏置追踪电路中的三极管为负阈值的NMOS管。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 |