| 发明名称 | III族氮化物复合衬底及其制造方法、层叠的III族氮化物复合衬底、III族氮化物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 具有75mm或更大直径的III族氮化物复合衬底(1)包括彼此结合的具有0.1mm或更大且1mm或更小的厚度t<sub>s</sub>的支撑衬底(11)和具有比厚度t<sub>s</sub>薄的、0.01mm或更大且0.25mm或更小的厚度t<sub>f</sub>的III族氮化物膜(13)。通过从III族氮化物膜(13)的热膨胀系数α<sub>f</sub>中减去支撑衬底(11)的热膨胀系数α<sub>s</sub>确定的热膨胀系数之差Δα的绝对值|Δα|是2.2×10<sup>‑6</sup>K<sup>‑1</sup>或更小。支撑衬底(11)的杨氏模量E<sub>s</sub>和厚度t<sub>s</sub>、III族氮化物膜(13)的杨氏模量E<sub>f</sub>和厚度t<sub>f</sub>，以及热膨胀系数之差Δα满足通过以下关系：t<sub>s</sub><sup>2</sup>/t<sub>f</sub>≥6E<sub>f</sub>·|Δα|/E<sub>s</sub>。因此，提供具有大厚度且高晶体质量的III族氮化物膜的低成本、大直径和低变形的III族氮化物复合衬底和由该III族氮化物复合衬底制成的III族氮化物半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN104781907B | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201480002997.2 | 申请日期 | 2014.09.04 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 木山诚;石桥惠二;八乡昭广;松本直树;中西文毅 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/868(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种III族氮化物复合衬底，所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，所述III族氮化物复合衬底包括彼此结合的支撑衬底和III族氮化物膜，所述支撑衬底具有0.1mm或更大且1mm或更小的厚度t<sub>s</sub>，所述III族氮化物膜具有0.01mm或更大且0.25mm或更小的厚度t<sub>f</sub>，所述厚度t<sub>f</sub>比所述厚度t<sub>s</sub>薄，热膨胀系数之差Δα的绝对值|Δα|是2.2×10<sup>‑6</sup>K<sup>‑1</sup>或更小，所述热膨胀系数之差Δα通过从所述III族氮化物膜的热膨胀系数α<sub>f</sub>减去所述支撑衬底的热膨胀系数α<sub>s</sub>来确定，并且所述支撑衬底的杨氏模量E<sub>s</sub>和所述厚度t<sub>s</sub>、所述III族氮化物膜的杨氏模量E<sub>f</sub>和所述厚度t<sub>f</sub>、以及所述热膨胀系数之差Δα满足由公式(1)定义的关系：t<sub>s</sub><sup>2</sup>/t<sub>f</sub>≥6E<sub>f</sub>·|Δα|/E<sub>s</sub>... (1)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||