| 发明名称 | 晶体管以及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明可以提供一种寄生电容小的晶体管。可以提供一种频率特性高的晶体管。可以提供一种包括该晶体管的半导体装置。提供一种晶体管，包括氧化物半导体、第一导电体、第二导电体、第三导电体、第一绝缘体以及第二绝缘体。第一导电体具有第一导电体与氧化物半导体隔着第一绝缘体相互重叠的第一区域、第一导电体与第二导电体隔着第一绝缘体及第二绝缘体相互重叠的第二区域以及第一导电体与第三导电体隔着第一绝缘体及第二绝缘体相互重叠的第三区域。氧化物半导体包括该氧化物半导体与第二导电体接触的第四区域以及该氧化物半导体与第三导电体接触的第五区域。 | ||
| 申请公布号 | CN106165106A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201580016956.3 | 申请日期 | 2015.03.13 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;坂仓真之 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 欧阳帆 |
| 主权项 | 一种晶体管，包括：氧化物半导体；第一导电体；第二导电体；第三导电体；第一绝缘体；以及第二绝缘体，其中，所述第一导电体包括第一区域、第二区域以及第三区域，所述第一区域包括所述第一导电体隔着所述第一绝缘体而与所述氧化物半导体重叠的区域，所述第二区域包括所述第一导电体隔着所述第一绝缘体及所述第二绝缘体而与所述第二导电体重叠的区域，所述第三区域包括所述第一导电体隔着所述第一绝缘体及所述第二绝缘体而与所述第三导电体重叠的区域，所述氧化物半导体包括第四区域以及第五区域，所述第四区域包括所述氧化物半导体与所述第二导电体接触的区域，并且，所述第五区域包括所述氧化物半导体与所述第三导电体接触的区域。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||