| 发明名称 | 包括虚设存储单元的半导体存储器件及其操作方法 | ||
| 摘要 | 一种操作半导体存储器件的方法，所述半导体存储器件包括耦接至虚设字线和正常字线的多个单元串，所述方法包括：通过将第一编程脉冲顺序地施加至选中正常字线来对选中正常存储单元执行第一子编程操作；以及通过将比第一编程脉冲大的第二编程脉冲顺序地施加至选中正常字线来对选中正常存储单元执行第二子编程操作，其中，每当第一编程脉冲中的每个被施加至选中正常字线时，以与选中正常字线相同的方式来偏置虚设字线中的至少一个。 | ||
| 申请公布号 | CN106157999A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201610064287.3 | 申请日期 | 2016.01.29 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 朴景真;裴成镐;韩柄日 |
| 分类号 | G11C8/08(2006.01)I;G11C7/12(2006.01)I | 主分类号 | G11C8/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 李少丹;许伟群 |
| 主权项 | 一种操作半导体存储器件的方法，所述半导体存储器件包括耦接至虚设字线和正常字线的多个单元串，所述方法包括：通过将第一编程脉冲顺序地施加至选中正常字线来对选中正常存储单元执行第一子编程操作；以及通过将比第一编程脉冲大的第二编程脉冲顺序地施加至选中正常字线来对选中正常存储单元执行第二子编程操作，其中，每当第一编程脉冲中的每个第一编程脉冲被施加至选中正常字线时，以与选中正常字线相同的方式来偏置虚设字线中的至少一个虚设字线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||