发明名称 |
气隙结构和方法 |
摘要 |
一种器件包括位于第一介电层中的第一沟槽的侧壁和底部上方的第一保护层、位于第一保护层上方的第一阻挡层、位于第一沟槽中的第一金属线、位于第一介电层中的第二沟槽的侧壁和底部上方的第二保护层、位于第二保护层上方的第二阻挡层、位于第二沟槽中的第二金属线、位于第一沟槽和第二沟槽之间的气隙以及位于第一介电层中的第三沟槽的侧壁上方的第三保护层,其中,第一保护层、第二保护层和第三保护层由相同的材料形成。本发明实施例涉及气隙结构和方法。 |
申请公布号 |
CN106158827A |
申请公布日期 |
2016.11.23 |
申请号 |
CN201510205243.3 |
申请日期 |
2015.04.27 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
丁致远;谢志宏 |
分类号 |
H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/532(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;李伟 |
主权项 |
一种器件,包括:气隙,位于第一介电层中的第一金属线和第二金属线之间,其中:所述第一金属线和所述第一介电层由第一保护层分隔开;和所述第二金属线和所述第一介电层由第二保护层分隔开;以及第一金属结构,位于所述第一介电层中,其中,所述第一金属结构的上部和所述第一介电层由第三保护层分隔开,并且其中,所述第一保护层、所述第二保护层和所述第三保护层均由相同的材料形成。 |
地址 |
中国台湾新竹 |