用于RRAM结构的氧化物膜方案

摘要

本发明涉及一种形成具有介电数据层的RRAM单元的方法和相关的装置，介电数据层配置为提供良好的性能、器件良率、和数据保持。在一些实施例中，通过形成具有底电极层、顶电极层和设置在底电极层和顶电极层之间的介电数据存储层的RRAM膜堆叠件来实施该方法，其中底电极层设置在半导体衬底上方。介电数据存储层包括具有氢掺杂的氧化物的性能增强层和具有氧化铝的数据保持层。然后，根据一个或多个掩蔽层图案化RRAM膜堆叠件以形成顶电极和底电极；以及在电接触顶电极的位置处形成上部金属互连层。本发明涉及用于RRAM结构的氧化物膜方案。

主权项

一种形成RRAM(电阻式随机存取存储器)单元的方法，包括：形成具有底电极层、顶电极层和设置在所述底电极层和所述顶电极层之间的介电数据存储层的RRAM膜堆叠件，其中，所述底电极层设置在半导体衬底上方，所述介电数据存储层包括具有氢掺杂的氧化物的性能增强层和包括氧化铝的数据保持层；根据一个或多个掩蔽层图案化所述RRAM膜堆叠件以形成顶电极和底电极；以及在电接触所述顶电极的位置处形成上部金属互连层。