半导体器件的制作方法

摘要

本申请提供了一种半导体器件的制作方法。该制作方法包括：在衬底上设置依次远离衬底的衬垫氧化层和硬掩膜层；刻蚀硬掩膜层、衬垫氧化层和衬底，形成沟槽，沟槽包括第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽为刻蚀衬垫氧化层和衬底所形成的，第二沟槽为刻蚀硬掩膜层所形成的，且第二沟槽的开口大于第一沟槽的开口，使得在第一沟槽和第二沟槽的交界处形成突出部；在沟槽的内壁上设置衬垫隔离层；在衬垫隔离层上设置隔离材料层；向硬掩膜层、衬垫隔离层和隔离材料层进行P型离子注入，形成P型离子密集区；去除硬掩膜层，得到浅沟槽隔离结构。采用上述制作方法制作时P型离子密集区中的P型离子会补偿因扩散丢失的离子，进而保证半导体器件的开启电压的稳定性。

主权项

一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底上设置依次远离所述衬底的衬垫氧化层和硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层、所述衬垫氧化层和所述衬底，形成沟槽，所述沟槽包括第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽为刻蚀所述衬垫氧化层和所述衬底所形成的，所述第二沟槽为刻蚀所述硬掩膜层所形成的，且所述第二沟槽的开口大于所述第一沟槽的开口，使得在所述第一沟槽和所述第二沟槽的交界处形成突出部；在所述沟槽的内壁上设置衬垫隔离层；在所述衬垫隔离层上设置隔离材料层；向所述硬掩膜层、所述衬垫隔离层和所述隔离材料层进行P型离子注入，形成P型离子密集区；去除所述硬掩膜层，得到所述浅沟槽隔离结构。