发明名称 |
金属-绝缘体-金属电容器结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明涉及一种金属-绝缘体-金属电容器结构的制作方法,包括如下步骤:依次制作底部金属层、介电层和顶部金属层;对所述顶部金属层进行抗反射处理形成抗反射层;在所述抗反射层上涂布光刻胶,进行图案工艺。本发明还涉及一种用于上述制作方法的金属-绝缘体-金属电容器结构。上述方法和结构由于顶部金属层经过抗反射处理,在进行图案工艺时,可以有效防止曝光时的驻波效应,使得光刻胶侧壁形貌整齐。 |
申请公布号 |
CN106158578A |
申请公布日期 |
2016.11.23 |
申请号 |
CN201510128285.1 |
申请日期 |
2015.03.23 |
申请人 |
无锡华润上华半导体有限公司 |
发明人 |
高永亮;陈辉 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 |
代理人 |
邓云鹏 |
主权项 |
一种金属‑绝缘体‑金属电容器结构的制作方法,包括如下步骤:依次制作底部金属层、介电层和顶部金属层;对所述顶部金属层进行抗反射处理形成抗反射层;在所述抗反射层上涂布光刻胶,进行图案工艺。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 |