RRAM器件

摘要

本发明涉及一种具有RRAM单元的集成电路器件和相关的形成方法。在一些实施例中，集成电路器件具有设置在下部金属互连层上方的底部电极。集成电路器件还包括具有可变电阻的电阻转换层，该电阻转换层位于底部电极上，并且顶部电极位于电阻转换层上方。集成电路器件还包括自溅射间隔件，该自溅射间隔件具有：横向部分，围绕垂直位于电阻转换层与底部蚀刻停止层之间的位置处的底部电极；和垂直部分，邻接电阻转换层和顶部电极的侧壁。集成电路器件还具有顶部蚀刻停止层，该顶部蚀刻停止层位于底部蚀刻停止层上方，邻接自溅射间隔件的侧壁，并且覆盖顶部电极。

主权项

一种集成电路器件，包括：底部电极，覆盖下部层间介电(ILD)层；底部蚀刻停止层，横向地围绕所述底部电极；电阻转换层，具有可变电阻，所述电阻转换层设置在所述底部电极上方；顶部电极，设置在所述电阻转换层上方；自溅射间隔件，具有：横向部分，在垂直位于所述电阻转换层与所述底部蚀刻停止层之间的位置处围绕所述底部电极；和垂直部分，邻接所述电阻转换层的侧壁和所述顶部电极的侧壁；以及顶部蚀刻停止层，设置在所述底部蚀刻停止层上方，沿着所述自溅射间隔件的侧壁延伸，并且延伸至所述顶部电极的顶面上方。