| 发明名称 | 具有不齐平的栅极结构的半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体结构及其形成方法。半导体结构包括形成在衬底上方的鳍结构和横跨鳍结构形成的栅极结构。此外，栅极结构包括形成在衬底上方的栅极介电层和形成在栅极介电层上方的功函数金属层。栅极结构进一步包括形成在功函数金属层上方的栅电极层。此外，栅电极层的顶面所在的位置比栅极介电层的顶面所在的位置高，并且栅极介电层的顶面所在的位置比功函数金属层的顶面所在的位置高。 | ||
| 申请公布号 | CN106158966A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201510781171.7 | 申请日期 | 2015.11.13 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张家玮;张哲诚;巫柏奇;赵益承 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：鳍结构，形成在衬底上方；栅极结构，横跨所述鳍结构形成，其中，所述栅极结构包括：栅极介电层，形成在所述衬底上方；功函数金属层，形成在所述栅极介电层上方；以及栅电极层，形成在所述功函数金属层上方，其中，所述栅电极层的顶面所在的位置比所述栅极介电层的顶面所在的位置高，并且所述栅极介电层的顶面所在的位置比所述功函数金属层的顶面所在的位置高。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||