| 发明名称 | 具有PN掺杂量子垒的发光二极管外延结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种具有PN掺杂量子垒的发光二极管外延结构及其制备方法，发光二极管结构从下至上包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、N型GaN导电层、多量子阱有源区和P型GaN导电层，其特征在于所述量子阱有源区包括量子阱层和量子垒层；所述量子垒层由P型掺杂量子垒和N型掺杂量子垒组成。本发明采用微PN结量子垒代替传统的量子垒，可以屏蔽量子阱的极化电场，减小电子空穴波函数分离，提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN106159047A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201610385337.8 | 申请日期 | 2016.06.03 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 徐明升;周泉斌;王洪 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)N | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人 | 何淑珍 |
| 主权项 | 具有PN掺杂量子垒的发光二极管结构，从下至上包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、N型GaN导电层、多量子阱有源区和P型GaN导电层，其特征在于所述量子阱有源区包括量子阱层和量子垒层；所述量子垒层由P型掺杂量子垒和N型掺杂量子垒组成。 | ||
| 地址 | 510640 广东省广州市天河区五山路381号 | ||