晶体管的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅，所述伪栅两侧的半导体衬底内形成有源区和漏区；在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的表面与伪栅的顶部表面齐平；去除所述伪栅，形成暴露出半导体衬底表面的凹槽；在所述层间介质层上形成第一应力层，且所述第一应力层填充满凹槽，所述第一应力层对凹槽底部的半导体衬底施加第一应力；去除所述第一应力层，所述凹槽底部的半导体衬底材料记忆部分第一应力；在所述凹槽的侧壁和底部表面上形成栅介质层；在所述栅介质层和层间介质层表面上形成金属栅电极，所述金属栅电极填充满凹槽。本发明的方法提高了晶体管沟道区载流子的迁移率。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅，所述伪栅两侧的半导体衬底内形成有源区和漏区；在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的表面与伪栅的顶部表面齐平；去除所述伪栅，形成暴露出半导体衬底表面的凹槽；在所述层间介质层上形成第一应力层，且所述第一应力层填充满凹槽，所述第一应力层对凹槽底部的半导体衬底施加第一应力；去除所述第一应力层，所述凹槽底部的半导体衬底材料记忆部分第一应力；去除所述第一应力层后，在所述凹槽的侧壁和底部表面上形成栅介质层；在所述栅介质层和层间介质层表面上形成第一栅电极材料层；在所述第一栅电极材料层上形成第二应力层，所述第二应力层与第一应力层的应力性质相同，所述第二应力层对凹槽底部的半导体衬底施加第二应力；去除所述第二应力层，所述凹槽底部的半导体衬底记忆部分第二应力；去除第二应力层后，在第一栅电极材料层上形成第二栅电极材料层；平坦化去除层间介质层上的第一栅电极材料层和第二栅电极材料层，在所述栅介质层表面上形成金属栅电极。