发明名称 |
一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜及其应用 |
摘要 |
本发明涉及一种SiC纳米颗粒薄膜,具体涉及一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜及其应用,属于纳米材料技术领域。所述P掺杂SiC纳米颗粒薄膜的相成份为3C‑SiC,所述P掺杂SiC纳米颗粒薄膜中P掺杂量为0.25‑0.30at.%,所述纳米颗粒薄膜通过有机前驱体粉末和FePO<sub>4</sub>·H<sub>2</sub>O粉末混合后在气氛烧结炉中高温热解而成。本发明SiC纳米颗粒薄膜的表面具有大量尖锐的棱边和棱角,通过简单可控,具有很好重复性的方法实现了在碳纤维布衬底上制备SiC纳米颗粒薄膜,实现了对SiC纳米颗粒薄膜的P掺杂,并实现了对P掺杂SiC纳米颗粒尺寸的有效调控。 |
申请公布号 |
CN105088183B |
申请公布日期 |
2016.11.23 |
申请号 |
CN201510512138.4 |
申请日期 |
2015.08.19 |
申请人 |
宁波工程学院 |
发明人 |
陈善亮;高凤梅;王霖;郑金桔;杨为佑 |
分类号 |
C23C16/32(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;H01J1/304(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C23C16/32(2006.01)I |
代理机构 |
宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 |
代理人 |
张向飞 |
主权项 |
一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜的制备方法,其特征在于,所述P掺杂SiC纳米颗粒薄膜的相成份为3C‑SiC,所述P掺杂SiC纳米颗粒薄膜中P掺杂量为0.25‑0.30at.%,所述纳米颗粒薄膜的制备方法为:有机前驱体热交联固化和粉碎,得有机前驱体粉末;将有机前驱体粉末和FePO<sub>4</sub>·H<sub>2</sub>O粉末混合均匀后置于石墨坩埚底部,将碳布衬底放置在坩埚顶部;所述有机前驱体粉末和FePO<sub>4</sub>·H<sub>2</sub>O粉末的质量比为5:(0.8‑2);将石墨坩埚及碳布衬底一起置于气氛烧结炉中,先以28‑32℃/min的速率从室温升温至1300‑1400℃,再以20‑25℃/min的速率升温至1400‑1500℃进行热解;热解后气氛烧结炉以12‑75℃/min的速率先冷却至1080‑1150℃,再随炉冷却至室温,即可得到以碳布为衬底的P掺杂SiC纳米颗粒薄膜。 |
地址 |
315016 浙江省宁波市海曙区翠柏路59号 |