发明名称 基于气体团簇离子束技术的中性射束处理方法以及由此产生的物品
摘要 一种使用具有碳原子的加速中性射束形成位于基板表面上的带图案的硬掩膜的方法。本发明的前述目的以及进一步的和其他的目的和优势通过下述本发明的各个实施例实现。
申请公布号 CN106164326A 申请公布日期 2016.11.23
申请号 CN201680000895.6 申请日期 2016.03.11
申请人 艾克索乔纳斯公司 发明人 肖恩·R·柯克帕特里克;理查德·C·什夫卢加
分类号 C23C14/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 主分类号 C23C14/00(2006.01)I
代理机构 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 代理人 杨帆
主权项 一种在基板表面上形成带图案的硬掩膜的无光刻胶的方法,包含下列步骤:提供减压室;在所述减压室中形成包含气体团簇离子的气体团簇离子射束,所述气体团簇离子包含碳原子;在所述减压室中加速所述气体团簇离子以形成沿射束路径的加速气体团簇离子射束;促使沿所述射束路径的所述加速气体团簇离子的至少一部分分裂和/或离解;在所述减压室中从所述射束路径中移除带电粒子以形成沿所述射束路径的加速中性射束;将带图案的模板和基板引入到所述减压室中;将所述基板保持在所述射束路径中;通过利用所述加速中性射束穿过所述带图案模板中的开口辐照所述基板来处理所述基板的部分表面,以在所述表面的被辐照部分上通过将碳原子植入到所述表面的所述被辐照部分而形成硬化和/或致密的含碳的图案层;将所述模板从所述基板分离;一次刻蚀具有含碳的图案层的所述表面以优先移除在所述表面的不含碳部分中的材料,形成一个或多个沟槽和一个或多个高台;在所述高台和所述沟槽上方形成硬掩膜层;整平所述硬掩膜层以将其从高台移除,但不从沟槽中移除;以及可选地,使用所述硬掩膜层作为掩膜来二次刻蚀所述表面以移除基板材料。
地址 美国马萨诸塞州