发明名称 |
双硅源导向的中空和夹心中空二氧化硅介孔材料及其合成方法 |
摘要 |
本发明涉及一种双硅源导向的中空和夹心中空二氧化硅介孔材料及其合成方法。以乙醇为溶剂,在氨水的碱催化作用下,将3‑(2‑氨乙基)‑氨丙基三甲氧基硅烷(TSD)和正硅酸四乙酯(TEOS)进行水解聚合制得实心的杂交二氧化硅球,然后通过氢氟酸(HF)的刻蚀作用,将其转变为中空或夹心中空二氧化硅介孔材料。其中,在制备实心杂交硅球的过程中,通过简单调节两种硅源的体积比,即可得到不同结构的二氧化硅介孔材料。该方法得到的中空二氧化硅介孔材料的粒径为350~420 nm,壳层厚度为30~50 nm,孔径为3~4 nm;所得夹心中空二氧化硅介孔材料的粒径为350~420 nm,内核为粒径100~160 nm的二氧化硅实心球,壳层厚度为30~50 nm,孔径为3~4 nm。本发明制得的介孔氧化硅材料自身就修饰有一定量的氨基,这极大的拓展了其在催化和生物医药等领域的应用。 |
申请公布号 |
CN106145121A |
申请公布日期 |
2016.11.23 |
申请号 |
CN201610469376.6 |
申请日期 |
2016.06.25 |
申请人 |
上海大学 |
发明人 |
张海娇;刘兴稳 |
分类号 |
C01B33/12(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01B33/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 |
代理人 |
顾勇华 |
主权项 |
一种中空二氧化硅介孔材料,其特征在于该介孔材料的粒径为350~420 nm,壳层为介孔二氧化硅,厚度为30~50 nm,介孔孔径为3~4 nm。 |
地址 |
200444 上海市宝山区上大路99号 |