一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构

摘要

本实用新型提供了一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构，包括底层LTCC基板、中间层LTCC基板和顶层LTCC基板，中间层LTCC基板包括至少两层，每层LTCC基板上均设置有芯片腔槽，LTCC基板呈阶梯型上下层交错设置，底层、中间层和顶层LTCC基板之间通过金丝或金带实现电连接，通过导电胶粘贴实现力学支撑及共地连接；本实用新型采用多块传统的LTCC基板交错层叠实现三维封装结构，每层错位电连接区通过相邻层错开的方式，空出部分区域可放置尺寸较大附属器件；使用常规的LTCC基板加工技术、金丝金带键合技术和导电胶粘接技术即可实现，工艺简单，且具有机械强度高、相邻层接触面积大、电路体积小等特点。

主权项

一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构，其特征在于：包括底层LTCC基板（1）、中间层LTCC基板（2）和顶层LTCC基板（3），中间层LTCC基板（2）包括至少两层LTCC基板，每层LTCC基板上均设置有可放置芯片的芯片腔槽（10）；所述底层LTCC基板（1）、中间层LTCC基板（2）呈阶梯型上下层交错设置，各层之间电磁封闭；底层LTCC基板（1）和中间层的每层LTCC基板上均设置有用于各层互联及信号输入输出的输出电连接凸台（12）、错位电连接区（13）、输入电连接凹槽（11），输出电连接凸台（12）上设置有用于键合的凹槽；顶层LTCC基板（3）上均设置有用于与中间层LTCC基板（2）互联及信号输入输出的输出焊盘连接点、错位电连接区（13）和输入电连接凹槽（11）；底层LTCC基板（1）的输出电连接凸台（12）通过金丝或金带（4）与中间层最底层的LTCC基板的输入电连接凹槽（11）电连接；中间层相邻的两层LTCC基板通过金丝或金带（4）互联，金丝或金带（4）位于输入电连接凹槽（11）中；中间层最顶层的LTCC基板的输出电连接凸台（12）通过金丝或金带（4）与顶层LTCC基板（3）的输入电连接凹槽（11）电连接。