发明名称 POLYMER POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
摘要 본 발명은 자외선, 원자외선, 전자선, X선, 엑시머 레이저, γ선 및 싱크로트론 방사선으로부터 선택되는 고에너지선에 감응하여 산을 발생하는 화학식 (1a) 및/또는 (1b)로 표시되는 구조의 반복 단위와, 화학식 (2a) 및/또는 (2b)로 표시되는 구조의 락톤환을 갖는 반복 단위와, 화학식 (3)으로 표시되는 산불안정 단위를 가짐과 동시에, 어느 쪽의 반복 단위도 수산기를 포함하지 않는 고분자 화합물에 관한 것이다.본 발명의 고분자 화합물은 포지티브형 레지스트 재료의 베이스 중합체로서 유용하고, 상기 고분자 화합물을 포함하는 포지티브형 레지스트 재료는 미세 패턴의 형상을 직사각형으로 함와 동시에, 패턴 붕괴 내성을 향상시킬 수 있다.
申请公布号 KR101679086(B1) 申请公布日期 2016.11.23
申请号 KR20110123375 申请日期 2011.11.24
申请人 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 发明人 고바야시, 도모히로;나가사와, 다까유끼;다니구찌, 료스께;오사와, 요우이찌;후나쯔, 겐지;다찌바나, 세이이찌로
分类号 C08F20/22;C08F20/26;G03F7/027;G03F7/26;G03F7/34 主分类号 C08F20/22
代理机构 代理人
主权项
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