发明名称 | 半导体器件的制造方法和半导体器件 | ||
摘要 | 本发明涉及半导体器件的制造方法和半导体器件。在制造半导体器件的方法中,第一半导体元件被安装在载体上。b阶段可固化聚合物被沉积在载体上。第二半导体元件被附着在该聚合物上。 | ||
申请公布号 | CN103377951B | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
申请号 | CN201310137491.X | 申请日期 | 2013.04.19 |
申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | E.菲尔古特;K.霍赛尼;J.马勒;M.门格尔 |
分类号 | H01L21/58(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/58(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马永利;卢江 |
主权项 | 一种制造半导体器件的方法,该方法包括:提供载体;将第一半导体元件安装在载体上;将b阶段可固化聚合物沉积在载体上;以及将第二半导体元件附着在聚合物上;其中,第二半导体元件通过聚合物附着在载体上,其中,面向载体的第二半导体芯片的表面接触聚合物,并且其中聚合物接触第二半导体元件的侧表面,其中,面向第二半导体元件的载体的表面接触聚合物,以及其中,当在垂直于载体的表面的方向上观看时,第二半导体元件的轮廓完全位于第一半导体元件的轮廓外部。 | ||
地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 |