发明名称 半导体器件的制造方法和半导体器件
摘要 本发明涉及半导体器件的制造方法和半导体器件。在制造半导体器件的方法中,第一半导体元件被安装在载体上。b阶段可固化聚合物被沉积在载体上。第二半导体元件被附着在该聚合物上。
申请公布号 CN103377951B 申请公布日期 2016.11.23
申请号 CN201310137491.X 申请日期 2013.04.19
申请人 英飞凌科技股份有限公司 发明人 E.菲尔古特;K.霍赛尼;J.马勒;M.门格尔
分类号 H01L21/58(2006.01)I 主分类号 H01L21/58(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 马永利;卢江
主权项 一种制造半导体器件的方法,该方法包括:提供载体;将第一半导体元件安装在载体上;将b阶段可固化聚合物沉积在载体上;以及将第二半导体元件附着在聚合物上;其中,第二半导体元件通过聚合物附着在载体上,其中,面向载体的第二半导体芯片的表面接触聚合物,并且其中聚合物接触第二半导体元件的侧表面,其中,面向第二半导体元件的载体的表面接触聚合物,以及其中,当在垂直于载体的表面的方向上观看时,第二半导体元件的轮廓完全位于第一半导体元件的轮廓外部。
地址 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号