发明名称 封装装置与其制作方法
摘要 一种封装装置包含第一半导体装置、散热构件、封装层、导电层与贯穿结构。第一半导体装置包含基板、有源区与电极。有源区置于基板与电极之间。基板具有相对于有源区的第一表面,且电极具有相对于有源区的第二表面。散热构件置于基板的第一表面。封装层包覆电极的第二表面以及部分的散热构件,使得另一部分的散热构件被暴露于封装层。导电层置于封装层上。贯穿结构置于封装层中。贯穿结构将导电层连接至电极。
申请公布号 CN106158787A 申请公布日期 2016.11.23
申请号 CN201510184104.7 申请日期 2015.04.17
申请人 台达电子工业股份有限公司 发明人 蔡欣昌;李嘉炎;李芃昕
分类号 H01L23/367(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I 主分类号 H01L23/367(2006.01)I
代理机构 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人 王芝艳;冯志云
主权项 一种封装装置,包含:一第一半导体装置,包含一基板、一有源区与一电极,该有源区置于该基板与该电极之间,该基板具有相对于该有源区的一第一表面,且该电极具有相对于该有源区的一第二表面;一散热构件,置于该基板的该第一表面;一封装层,包覆该电极的该第二表面以及部分的该散热构件,使得另一部分的该散热构件被暴露于该封装层;一导电层,置于该封装层上;以及一贯穿结构,置于该封装层中,其中该贯穿结构将该导电层连接至该电极。
地址 中国台湾桃园县