| 发明名称 | 具有内埋层的半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有内埋层的半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：具有第一电性的基板、具有第二电性且形成于基板中的高电压阱、形成于高电压阱中的漂移区，以及具有第一电性的内埋层，其中内埋层形成于高电压阱之下且垂直地对准漂移区。 | ||
| 申请公布号 | CN106158963A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201510198112.7 | 申请日期 | 2015.04.24 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 詹景琳;吴锡垣;林正基 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：一基板，具有一第一电性；一高电压阱，具有一第二电性且形成于该基板中；一漂移区，形成于该高电压阱中；以及一内埋区，具有该第一电性，该内埋区形成于该高电压阱下方且垂直地对准该漂移区。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||