| 发明名称 | 一种半导体凸块制程用正胶去胶液 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体凸块制程用正胶去胶液，包括如下质量百分比的成分水溶性有机溶剂35～60%，有机胺类10～50%，金属保护剂0.05～0.1%，表面活性剂0.05～0.1%，表面活性助剂0.01～0.04%，余量为纯水。本发明的正胶去胶液体系稳定性提高，使用寿命长，表面张力低，对微小缝隙处的光刻胶去除效果好；在有效清除胶的同时亦不会对半导体凸块基板金属层造成腐蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN106154772A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201610618064.7 | 申请日期 | 2016.08.01 |
| 申请人 | 江阴润玛电子材料股份有限公司 | 发明人 | 戈烨铭 |
| 分类号 | G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 | 代理人 | 孙燕波 |
| 主权项 | 一种半导体凸块制程用正胶去胶液，其特征在于：包括如下质量百分比的成分水溶性有机溶剂 35～60%，有机胺类 10～50%，金属保护剂 0.05～0.1%，表面活性剂 0.05～0.1%，表面活性助剂 0.01～0.04%，余量为纯水。 | ||
| 地址 | 214423 江苏省无锡市江阴市周庄镇长青路2号 | ||