MOS晶体管的形成方法

摘要

一种MOS晶体管的形成方法，所述MOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅极结构，所述栅极结构包括半导体衬底表面的栅介质层和所述栅介质层表面的栅极；对所述栅极结构两侧的半导体衬底进行轻掺杂离子注入，形成轻掺杂区；刻蚀所述栅极结构两侧的半导体衬底，形成凹槽；对所述凹槽的靠近栅极结构一侧的侧壁进行第二晕环注入，在半导体衬底内形成第二晕环区；在所述凹槽内形成源极和漏极。所述MOS晶体管的形成方法，可以抑制晶体管的源漏穿通现象，提高晶体管的性能。

主权项

一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅极结构，所述栅极结构包括半导体衬底表面的栅介质层和所述栅介质层表面的栅极；对所述栅极结构两侧的半导体衬底进行轻掺杂离子注入，形成轻掺杂区；刻蚀所述栅极结构两侧的半导体衬底，形成凹槽；对所述凹槽的靠近栅极结构一侧的侧壁进行第二晕环注入，在半导体衬底内形成第二晕环区，所述第二晕环区包围所述轻掺杂区和所述凹槽靠近栅极结构一侧的侧壁；在所述凹槽内形成源极和漏极。